近日，第31屆半導(dǎo)體年度獎（Semiconductor of the Year 2025）頒獎典禮在日本東京舉行，山東天岳先進科技股份有限公司憑借其在碳化硅襯底材料技術(shù)上取得的突破，獲得“半導(dǎo)體電子材料”類金獎。據(jù)介紹，這是中國企業(yè)自該獎項設(shè)立31年以來的首次問鼎，標志著中國在半導(dǎo)體關(guān)鍵基礎(chǔ)材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了歷史性重大突破。

半導(dǎo)體年度獎由日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專業(yè)媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》（創(chuàng)刊于1991年）主辦，旨在從全球范圍內(nèi)表彰在設(shè)備、器件及材料三大領(lǐng)域的杰出技術(shù)創(chuàng)新，其獎項以嚴苛的評選標準和行業(yè)權(quán)威性著稱。歷屆獲獎企業(yè)組成全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“黃金榜單”，包括東芝、住友電工、昭和電工等日本產(chǎn)業(yè)巨擘，以及英偉達、索尼、美光等國際產(chǎn)業(yè)巨頭。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的基石，其襯底材料的品質(zhì)與制備技術(shù)直接決定了整個產(chǎn)業(yè)鏈的性能、成本和下游應(yīng)用的普及度，是支撐新能源汽車、特高壓輸電、5G/6G通信、數(shù)據(jù)中心等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本所在。長期以來，高品質(zhì)、大尺寸碳化硅襯底的制備技術(shù)壁壘極高，是國際競爭的焦點。面對挑戰(zhàn)，天岳先進長期深耕襯底材料研發(fā)，通過不懈的技術(shù)攻堅與產(chǎn)業(yè)化推進，在材料晶體生長、缺陷控制、加工工藝等核心環(huán)節(jié)取得一系列突破性進展，不僅攻克了大尺寸化等世界級難題，更在材料性能上達到了國際領(lǐng)先水平。

近年來，山東省建立完善“鏈長制”推進機制，將集成電路確定為標志性產(chǎn)業(yè)鏈之一，集聚政策合力、資源要素，全力實施“強芯”工程，初步實現(xiàn)涵蓋設(shè)計、制造、封測、配套等環(huán)節(jié)的全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展能力，2024年，全省集成電路產(chǎn)量同比增長31.6%，高于全國9.4個百分點。在顯示芯片、光電芯片、FPGA芯片以及大尺寸硅片、電子特氣、光刻膠等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批拳頭產(chǎn)品，形成了12英寸晶圓制造能力，多家企業(yè)承擔工信部等國家部委重大攻關(guān)任務(wù)，以第三代半導(dǎo)體為代表的產(chǎn)業(yè)特色優(yōu)勢加快塑強。

（大眾新聞記者 付玉婷）